Самый простой метод производства карбида кремния включает таяние песка и углерода, таких как уголь, при высоких температурах - до 2500 градусов по Цельсию. Более темные, более распространенные версии карбида кремния часто содержат примеси железа и углерода, но чистые кристаллы SIC бесцветны и образуются, когда карбид кремния сублимируется при 2700 градусах по Цельсию. После нагрева эти кристаллы осаждаются на графите при более низкой температуре в процессе, известном как метод LELE.
Лили метод: В этом процессе гранитный тигель нагревается до очень высокой температуры, обычно путем индукции, для сублимирования порошка карбида кремния. Графитный стержень с более низкой температурой находится в газообразной смеси, позволяя чистому кремниевому карбиду осадить и образует кристаллы.
Химическое осаждение пара: В качестве альтернативы, производители выращивают кубический SIC с использованием химического отложения паров, которое обычно используется в процессах синтеза на основе углерода и используется в полупроводниковой промышленности. В этом методе специальная химическая смесь газов вводится в вакуумную среду и объединяется перед осаждением на подложке.
Оба метода производства карбида кремниевых карбидов требуют огромного количества энергии, оборудования и знаний, чтобы добиться успеха.
