Твердый SiC

Описание карбидкремниевого носителя

Карбид кремния — полупроводниковый материал третьего поколения. По сравнению с обычными кремниевыми материалами карбид кремния имеет весьма выдающиеся преимущества. Он не только преодолевает некоторые недостатки обычных кремниевых материалов, но и имеет очень хорошие показатели энергопотребления.

Карбид кремния (SiC), нитрид галлия (GaN), нитрид алюминия (ALN), оксид галлия (Ga2O3) и т. д. в совокупности называются широкозонными полупроводниковыми материалами, поскольку ширина запрещенной зоны превышает 2,2 эВ, и в Китае их также называют материалом третьего поколения. Полупроводниковый материал.

Если вас заинтересовала наша продукция, свяжитесь с нами прямо сейчас! Мы можем изготовить продукцию по индивидуальному заказу в соответствии с требованиями заказчика!

Крупный карбид кремнияСпецификация

Китайские производители грубого карбида кремния--ZhenAn Group

Карбид кремния 80 Grit производитель - ZhenAn International

Поставщик карбида кремния зернистостью 80 - ZhenAn International

Преимущества электрических характеристик силовых приборов на основе карбида кремния:

1. Высоковольтное сопротивление: критическое электрическое поле пробоя достигает 2 МВ/см (4H-SiC), поэтому он имеет более высокое электрическое сопротивление (в 10 раз больше, чем у Si).

2. Легкое рассеивание тепла: благодаря высокой теплопроводности материала SiC (в три раза больше, чем у Si), рассеивание тепла происходит легче, и устройство может работать при более высоких температурах окружающей среды. Теоретически, силовые устройства SiC могут работать при температуре перехода 175 градусов, поэтому размер радиатора может быть значительно уменьшен.

3. Низкие потери проводимости и потери переключения: материал SiC имеет в два раза большую скорость насыщения электронов, чем Si, благодаря чему устройства SiC имеют чрезвычайно низкое сопротивление проводимости (1/100, чем Si) и низкие потери проводимости; материал SiC имеет в 3 раза большую ширину запрещенной зоны. Из-за ширины запрещенной зоны Si ток утечки на несколько порядков меньше, чем у устройств Si, что может снизить потери мощности в силовых устройствах. Во время процесса выключения отсутствует явление затухания тока, а потери переключения низки, что может значительно увеличить частоту переключения практических приложений. (в 10 раз больше, чем у Si).

4. Размер силового модуля может быть уменьшен: Из-за высокой плотности тока устройства (например, у продукции Infineon она может достигать 700 А/см2), при том же уровне мощности размер корпуса полного силового модуля SiC (SiC MOSFETsSiC SBD) значительно меньше, чем силового модуля Si IGBT.

60 90 Зернистость карбида кремния Фотографии визита клиента

Часто задаваемые вопросы

В: Как вы можете контролировать качество?

A: Для каждой производственной обработки ZhenAn имеет полную систему контроля качества для химического состава и физических свойств. После производства все товары будут проверены, и сертификат качества будет отправлен вместе с товарами.

В: Вы производитель или торговец?

A: В обоих случаях мы не только можем предоставить высококачественную продукцию по лучшей цене, но и можем предложить лучшее предпродажное и послепродажное обслуживание.

В: Предоставляете ли вы бесплатные образцы Solid SiC?

A: Конечно, доступны бесплатные образцы.

В: Каковы сроки выполнения заказа?

A: Обычно это занимает около 15- 20 дней после получения заказа на поставку.

горячая этикетка : твердый sic, Китай твердый sic производители, поставщики, завод, Стандартный Ferro molybdenum, укусы для управления проектами, графитовый электрод для программы обучения печи, ковша рефракции для исследований и разработок, Плазменная резка металлических продуктов, пробивание металлических продуктов