Карбид кремния (SiC) электропроводен, но его проводимость может варьироваться в зависимости от легирования и конкретной формы SiC. SiC является полупроводником, а это означает, что его электропроводностью можно управлять путем введения примесей (легирования) в его кристаллическую структуру.
Существуют различные типы кристаллов SiC, такие как n-тип и p-тип:
Карбид кремния N-типа: Легирование такими элементами, как фосфор или азот, вводит дополнительные электроны, увеличивая его проводимость.
Карбид кремния P-типа: Легирование такими элементами, как алюминий или бор, может создавать «дыры» (положительные носители заряда), которые также способствуют электропроводности.
